4月30日下午，光电工程学院举办青年学者学术论坛，论坛邀请青年教师王奥秋博士和奚宽浩老师做学术报告，学院部分科研教师和学生参加此次学术论坛。
王奥秋博士作了题为《II-VI族化合物半导体薄膜作介质层的阻变存储器综述》的学术报告。阻变存储器（RRAM）因其结构简单、尺寸可缩性好、读写速度快、擦写耐受力高、数据保持时间长而受到广泛关注，但由于阻变机制的研究进展缓慢，导致阻变存储器性能的提高受到极大限制。II-VI族化合物半导体薄膜，因其结构简单，与硅基CMOS电路兼容性好，制备方法简单，因此在作为阻变存储介质材料的应用方面有一定潜力。但鉴于采用非扩散型电极（Ag，Cu电极），其导电机制并非氧空位导电，而一些特殊的问题，如铁电和阻变之间是否有直接关系，阻变循环方向的控制以及ZnS、ZnSe和ZnTe材料均具有阻变特性的共因是什么，引起了研究者的广泛兴趣。这些问题的解决直接指向阻变机制的阐述，有助于改善II-VI族化合物半导体薄膜作介质层的阻变存储的存储性能，推动阻变存储器的整体发展。
奚宽浩老师做了题为《Hammerstein模型非线性预测控制》的学术报告，主要介绍了Hammerstein模型预测控制的一些最新进展。报告讨论了Hammerstein非线性模型结构和当前的非线性过程控制方法，重点介绍了一种基于B样条函数的Hammerstein模型辨识和控制方法，探讨了B样条函数在非线性建模中的重要性，并讨论基于B样条函数的模型预测控制的应用，总结了用于非线性过程建模和控制的B样条函数面临的挑战和机遇。
（文图/光电工程学院 编辑/邵清清 审核/汪涛）
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